Activate to Precharge Delay (tRAS) |
38 |
CAS Latency (CL) |
16 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
16 |
Row Precharge Delay (tRP) |
16 |
Буферизованная (Registered) |
нет |
Количество контактов |
288 |
Количество модулей в комплекте |
1 |
Количество чипов каждого модуля |
8 |
Напряжение питания |
1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
Объем одного модуля |
4 ГБ |
Поддержка ECC |
нет |
Поддержка XMP |
нет |
Пропускная способность |
19200 МБ/с |
Радиатор |
нет |
Страна производства |
Китай |
Тактовая частота |
2400 МГц |
Тип памяти |
DDR4 |
Форм-фактор модуля памяти |
DIMM |